INFLUENCE DE LA TECHNOLOGIE SUR LES CARACTERISTIQUES I-V DE STRUCTURES PSN EPITAXIQUES CONSTITUEES PAR GAASMORVIC M; KORDOS P; SIMKO L et al.1975; ELEKTROTECH. CAS.; CESKOSL.; DA. 1975; VOL. 26; NO 4; PP. 318-322Article

DISPERSION DES ELECTRONS ET DES TROUS ET CHUTE DE L'EFFICACITE DE L'EMETTEUR AVEC LA DENSITE DE COURANT CROISSANTE INTERVENANT DANS LE CALCUL DE LA BRANCHE DIRECTE DE LA CARACTERISTIQUE COURANT-TENSION DES STRUCTURES P-S-N ET P-S-RGREKHOV IV; OTBLESK AE.1974; RADIOTEKH. I ELEKTRON.; S.S.S.R.; DA. 1974; VOL. 19; NO 7; PP. 1483-1489; BIBL. 17 REF.Article

UEBER DEN EINGLUSS DER ZXZITONEN IM HOCHSTROMBEREICH VON PSN-DIODEN UND THYRISTOREN = ETUDE DE L'INFLUENCE DES EXCITONS DANS LE DOMAINE DE COURANT INTENSE DE DIODES PSN ET DE THYRISTORSWASSERRAB T.1979; ARCH. ELEKTROTECH.; DEU; DA. 1979; VOL. 61; NO 2; PP. 67-71; ABS. ENG; BIBL. 16 REF.Article

DIE ABHAENGIGKEIT DER TRAEGERBEWEGLICHKEIT IN SILIZIUM VON DER KONZENTRATION DER FREIEN LADUNGSTRAEGER. II = LA VARIATION, EN FONCTION DE LA DENSITE DES PORTEURS DE CHARGE LIBRE, DE LA MOBILITE DES PORTEURS DANS LE SILICIUMKRAUSSE J.1972; SOLID-STATE ELECTRON.; G.B.; DA. 1972; VOL. 15; NO 12; PP. 1377-1381; ABS. ANGL.; BIBL. 6 REF.Serial Issue

MESSUNG DER LEBENSDAUER IN PSN-DIODEN BEI STARKER INJEKTION = MESURE DE LA DUREE DE VIE DANS DES DIODES PSN DANS LE CAS D'UNE FORTE INJECTIONDANNHAUSER F.1973; SIEMENS FORSCH.-U. ENTWICKL.-BER.; DTSCH.; DA. 1973; VOL. 2; NO 2; PP. 69-72; ABS. ANGL.; BIBL. 8 REF.Serial Issue

PROPRIETES OPTOELECTRONIQUES DES STRUCTURES PSN EPITAXIQUES CONSTITUEES PAR GAASMORVIC M; KORDOS P; BENC V et al.1976; ELECTROTECH. CAS.; CESKOSL.; DA. 1976; VOL. 27; NO 8; PP. 630-634; ABS. RUSSE ALLEM. ANGL.; BIBL. 8 REF.; (CESK. CONF. GAAS PRIBUZNYCH SLOUCENINACH. 2; 1975)Article

BAND-TO-BAND AUGER RECOMBINATION AND CARRIER-CARRIER SCATTERING IN POWER RECTIFIERSNILSSON NG.1972; ELECTRON. LETTERS; G.B.; DA. 1972; VOL. 8; NO 23; PP. 580-582; BIBL. 12 REF.Serial Issue

INFRARED OBSERVATION OF THE BREAKDOWN BEHAVIOR OF HIGH-VOLTAGE P-N JUNCTIONS AND P-N-P STRUCTURES IN SILICONVOSS P.1973; I.E.E.E. TRANS. ELECTRON DEVICES; U.S.A.; DA. 1973; VOL. 20; NO 3; PP. 299-303; BIBL. 10 REF.Serial Issue

THE INFLUENCE OF AUGER RECOMBINATION ON THE FORWARD CHARACTERISTIC OF SEMICONDUCTOR POWER RECTIFIERS AT HIGH CURRENT DENSITIESNILSSON NG.1973; SOLID-STATE ELECTRON.; G.B.; DA. 1973; VOL. 16; NO 6; PP. 681-688; BIBL. 25 REF.Serial Issue

DIE ABHAENGIGKEIT DER TRAEGERBEWEGLICHKEIT IN SILIZIUM VON DER KONZENTRATION DER FREIEN LADUNGSTRAEGER. I = LA VARIATION, EN FONCTION DE LA DENSITE DES PORTEURS DE CHARGE LIBRE, DE LA MOBILITE DES PORTEURS DANS LE SILICIUMDANNHAUSER F.1972; SOLID-STATE ELECTRON.; G.B.; DA. 1972; VOL. 15; NO 12; PP. 1371-1375; ABS. ANGL.; BIBL. 21 REF.Serial Issue

BEITRAG ZUR NICHTLINEAREN THEORIE DES HOCHSTROMBEREICHS VON PSN-DIODEN UND THYRISTOREN. = CONTRIBUTION A LA THEORIE NON LINEAIRE DU DOMAINE DES COURANTS FORTS POUR LES DIODES PSN ET LES THYRISTORSWASSERRAB T.1976; ARCH. ELEKTROTECH.; DTSCH.; DA. 1976; VOL. 58; NO 1; PP. 27-37; ABS. ANGL.; BIBL. 20 REF.Article